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PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs NSITEXE Inc Visenta 16GB

総合得点
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
NSITEXE Inc Visenta 16GB

NSITEXE Inc Visenta 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 58
    周辺 53% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 8.2
    テスト平均値
NSITEXE Inc Visenta 16GB 考慮すべき理由
NSITEXE Inc Visenta 16GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18 left arrow 13.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 58
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 18.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 8.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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