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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
43
左右 -72% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
25
读取速度,GB/s
12.1
21.6
写入速度,GB/s
7.6
16.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2034
3994
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
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