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Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
比较
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB vs Kingston 9905678-014.A00G 4GB
总分
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
43
左右 -39% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.7
7.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-014.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
31
读取速度,GB/s
12.1
16.5
写入速度,GB/s
7.6
12.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2034
2633
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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