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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs AMD R748G2133U2S 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
AMD R748G2133U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R748G2133U2S 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
11.9
15.9
写入速度,GB/s
8.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2852
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
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