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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
45
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.7
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
43
读取速度,GB/s
11.9
14.7
写入速度,GB/s
8.1
8.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2250
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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