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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
11.9
14.8
写入速度,GB/s
8.1
11.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3122
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
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