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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
42
45
左右 -7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
42
读取速度,GB/s
11.9
15.5
写入速度,GB/s
8.1
14.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3170
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
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Super Talent F24UB16GV 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX1866C11D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/4GX 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
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