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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
18.5
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3794
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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