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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
16.5
写入速度,GB/s
8.1
13.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3298
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Mushkin 994083 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
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