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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
18.2
写入速度,GB/s
8.1
15.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3559
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT32GX4M4K4000C19 8GB
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