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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
11.9
19.1
写入速度,GB/s
8.1
14.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3363
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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