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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
11.9
17.8
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3563
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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