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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
13.0
写入速度,GB/s
8.1
8.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2243
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
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