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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
11.9
13.4
写入速度,GB/s
8.1
11.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2467
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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