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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
14.6
写入速度,GB/s
8.1
10.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2389
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905622-051.A00G 8GB
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Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
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