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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
79
左右 43% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
79
读取速度,GB/s
11.9
14.0
写入速度,GB/s
8.1
6.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1330
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
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