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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.7
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
11.9
17.7
写入速度,GB/s
8.1
14.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3482
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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