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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
11.9
18.7
写入速度,GB/s
8.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2947
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
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Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.AZ32B 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
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