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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
45
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
24
读取速度,GB/s
11.9
22.7
写入速度,GB/s
8.1
18.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
4202
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston KTP9W1-MID 16GB
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
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