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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
17.6
写入速度,GB/s
8.1
18.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3872
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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