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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

总分
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

总分
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    16 left arrow 45
    左右 -181% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22.3 left arrow 11.9
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    21.2 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 16
  • 读取速度，GB/s
    11.9 left arrow 22.3
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 21.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2077 left arrow 3952

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB RAM的比较

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
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Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
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Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
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