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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
19.1
写入速度,GB/s
8.1
15.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3773
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
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