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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
66
左右 32% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
66
读取速度,GB/s
11.9
15.9
写入速度,GB/s
8.1
8.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1953
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.D1GS7.B7B0B 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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