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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905702-008.A00G 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
11.9
14.9
写入速度,GB/s
8.1
8.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2447
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905702-008.A00G 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
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