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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston 9905702-137.A00G 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
11.9
16.4
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3172
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905702-137.A00G 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
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Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
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