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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
45
左右 -22% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
37
读取速度,GB/s
11.9
16.4
写入速度,GB/s
8.1
14.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3131
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
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