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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
14.2
写入速度,GB/s
8.1
7.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2013
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
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