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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.7
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
23400
12800
左右 1.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
15.7
写入速度,GB/s
8.1
14.9
内存带宽,mbps
12800
23400
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3368
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
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Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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