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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
11.9
15.6
写入速度,GB/s
8.1
10.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2900
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
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