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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
11.9
18.0
写入速度,GB/s
8.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
3110
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
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