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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
45
左右 -67% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.4
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
27
读取速度,GB/s
11.9
16.4
写入速度,GB/s
8.1
11.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2632
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
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