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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
81
左右 44% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.7
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
81
读取速度,GB/s
11.9
12.7
写入速度,GB/s
8.1
6.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1460
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB RAM的比较
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
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