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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.2
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
11.9
12.2
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
1711
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Roa Logic BV W4U2666CX1-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
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