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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.1
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
45
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
23
读取速度,GB/s
11.9
13.5
写入速度,GB/s
8.1
6.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2121
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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