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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
52
左右 12% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.7
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
52
读取速度,GB/s
12.2
14.7
写入速度,GB/s
7.9
11.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2814
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
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