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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
12.2
17.3
写入速度,GB/s
7.9
13.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
3073
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
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