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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
46
左右 -92% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
24
读取速度,GB/s
12.2
16.5
写入速度,GB/s
7.9
12.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
2982
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
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