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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
比较
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
总分
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
12.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.9
7.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
12.2
19.4
写入速度,GB/s
7.9
16.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2072
3929
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
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