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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

总分
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Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB

总分
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB 需要考虑的原因
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    34 left arrow 46
    左右 -35% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    18 left arrow 12.2
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.3 left arrow 7.9
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 12800
    左右 2 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    46 left arrow 34
  • 读取速度，GB/s
    12.2 left arrow 18.0
  • 写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 14.3
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2072 left arrow 3448

Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB RAM的比较

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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
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内存RAM
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
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Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Kingston 9905624-033.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
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Kingston 9905713-017.A00G 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
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内存RAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
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AMD R5316G1609U2K 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
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内存RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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