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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
47
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
29
读取速度,GB/s
11.8
19.4
写入速度,GB/s
8.0
16.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3735
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
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