RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs AMD R538G1601S2LS 8GB

总分
star star star star star
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
star star star star star
AMD R538G1601S2LS 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 11.3
    测试中的平均数值
AMD R538G1601S2LS 8GB 需要考虑的原因
AMD R538G1601S2LS 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    28 left arrow 47
    左右 -68% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    8.2 left arrow 8.0
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 28
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 11.3
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 8.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 1793

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

AMD R538G1601S2LS 8GB RAM的比较

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP691160-H63-KEB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
内存RAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
内存RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
内存RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
内存RAM
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
内存RAM
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
内存RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
内存RAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
内存RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
内存RAM