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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs AMD R7416G2400U2S 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
AMD R7416G2400U2S 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
AMD R7416G2400U2S 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
47
左右 -114% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
22
读取速度,GB/s
11.8
18.1
写入速度,GB/s
8.0
14.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3260
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
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