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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
47
左右 -47% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
32
读取速度,GB/s
11.8
15.1
写入速度,GB/s
8.0
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3306
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
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