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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
17
47
左右 -176% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
18.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
17
读取速度,GB/s
11.8
20.9
写入速度,GB/s
8.0
18.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3863
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
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Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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