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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
差异
规格
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
16.5
写入速度,GB/s
8.0
13.1
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3061
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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