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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB 需要考虑的原因
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 47
    左右 -27% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    15.1 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.9 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 15.1
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 12.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 3121

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
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Kingston K531R8-MIN 4GB
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G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9965643-006.A01G 8GB
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内存RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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