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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
55
左右 15% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
55
读取速度,GB/s
11.8
12.3
写入速度,GB/s
8.0
14.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2894
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
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