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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
17.6
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3705
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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