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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
17.2
写入速度,GB/s
8.0
14.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3505
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
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