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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
47
左右 -74% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
27
读取速度,GB/s
11.8
18.0
写入速度,GB/s
8.0
13.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2960
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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